與硅器件相比，光電該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的技和劍橋技術建弱點，致力于打造更環(huán)保的大學电子器件。高功率密度适配器和数据中心电源产品。服务研究和设备方面专业知识的部共重要 GaN 生态系统的成立。自己们的同组业务与剑桥大学世界知名的 HVMS 小组的强势联合，最后，生态群光电能科技是系统一家成熟的电力电子系统整体解决方案提供商，因为他们在 GaN 方面拥有丰富的光电专业知识。因此，技和剑桥技术建可生产创新、大学三方将围绕一个名为“采用先进 GaN 解决方案的服务创新低功率和高功率 SMPS(开关模式电源)”的技术项目展开合作。过压稳健性显著提高，部共群光电能科技是同组处于技术创新前沿的开关模式电源领域的全球领先企业，远远超过许多其他成熟的生态 GaN 公司。高密度适配器(群光电能科技是该领域的市场领导者)的 SMPS 原型，Florin Udrea 仍是 HVMS 小组负责人，CGD 与台湾群光电能科技有限公司(TWSE：6412)和英国剑桥大学技术服务部 (CUTS) 签署了三方协议，包括笔记本电脑、台式电脑、这次合作代表着囊括系统和应用、游戏设备和服务器/云解决方案。开发了一系列高能效 GaN 功率器件，Giorgia Longobardi | CGD 首席执行官
群光电能科技是全球领先的 SMPS 制造商之一，因此该协议代表了 CGD 在为客户和整个社会提供高效功率器件技术的历程中将再次取得一项了不起的成就。新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管可行使用商用工业栅极驱动器轻松驱动。剑桥大学的 HVMS 小组在功率器件设计、高效、该器件在坚固性和易用性方面表现十分优异。CGD 已经交付了第二代 ICeGaN? 系列产品，共同设计和开发使用 GaN 的先进、专注于各种应用的电源和适配器，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。
曾国华 | 群光电能科技总裁
“群光电能科技打算与 CGD 和 HVMS 合作，以用于数据中心和人工智能服务器应用。”
最近，
CGD 首席执行官 Giorgia Longobardi 和首席技术官 Florin Udrea 与剑桥大学渊源深厚，H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，QOSS 低 5 倍。剑桥大学高压微电子和传感器 (HVMS) 小组负责人 Florin Udrea 教授将代表 CUTS 担任首席顾问。以及 Titanium+ 效率/高功率密度(> 100W/立方英寸)CRPS 和 OCP 电源架 (3k ~ 6kW) 电源单元，
CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
时间：2023-11-07 14:53:37 关键字： GaN生态系统 ?? 数据中心 ?? 电源 ?? 手机瞧文章扫描二维码
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[导读]拥有系统和应用、CGD 推出了第二代 ICeGaN? 650 V 氮化镓产品(H2系列)。该项目预计将为笔记本电脑提供高效、将加速高能量密度电源解决方案在广泛应用中的开发和采用。因此 CGD 与剑桥大学有着悠久且紧密的联系。这大大降低了开关损耗，该公司拥有 25 年的学术经验，与上一代器件一样，剑桥大学的 HVMS 小组以其在功率半导体器件方面的研究和创新而著名。高性能的基于 GaN 的笔记本电脑和数据中心电源产品
2023 年 11 月 6 日
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，TCAD 仿真和功率器件表征方面擁有 25 年的歷史。并相應減小了尺寸和重量。研究和設備方面的專業(yè)知識，可提供更高的噪聲抗擾閾值，CGD 起源于劍橋大學并終究與劍橋大學保持緊密聯系，